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    SSDI 新品集锦


    300V硅肖特基二极管SSR08300S.22系列 :8A,300V   

     -极小占地面积:0.150 x 0.227英寸

     -极低的VF:0.99 V typ(@8 A,25°C)

     -密封表面贴装

     -低热阻:2.5°C/W typ




    SED20HB300系列: 20 A,250-300 V    

    -极低的VF:0.85 V typ(@20 A,25°C)

    -低IR:5uA typ(@25°C)

    -密封封装、低断面、表面贴装



    SED40HE300CT系列 :40A,300V,Centertap

    -密封封装、低断面、表面贴装

    (比T0-25X封装更小的占地面积)

    -提供了带散热片和隔离两种形式封装





    低漏电流肖特基二极管

    SSR4015S.5系列40 A,100-150 V

    -低正向电压降:

     0.79V typ(@40 A,25°C)

    -极低反向漏电流:0.4 uA typ(@25°C)

    -密封表面贴装




    SED150LB100LL  150 A, 100 V

    -低正向电压降:

     0.85V typ(@150 A,25°C)

    -极低反向漏电流:0.07mA typ(@25°C)

    -密封封装、低断面、表面贴装




    JANTX/JANTXV/JANS1N7068系列10 A,100-200 V超快速恢复二极管

    -密封封装

    -超快速反向恢复:30 ns max

    -高浪涌电流:350 A max

    -低正向电压降:0.95 V max @ 10A



    JANTX/JANTXV/JANS1N5811系列:

    6A,50-150V,30 ns超快速恢复二极管业界唯一可焊接实心银导线的1N5811

    -超快速反向恢复

    -低正向电压降

    -密封封装

    -无空隙陶瓷熔块玻璃结构


     


    1N8255-1N8257系列:4-6 A,100-200 V超快速恢复二极管

    -密封封装

    -超快速反向恢复:30ns max

    -低反向漏电流:2uA max(@25°C)

    -超小型替代 1N5807-1N5811



    1N8261-1N8263系列(SDR20CHF-SDR20EHF):20 A,150-250V超快速恢复二极管

    -超快速反向恢复:30ns typ

    -低正向电压降:

     0.92V typ(@20 A,25°C)

    -低反向泄漏:0.2uA typ(@25°C)

    -高浪涌电流:400A max

    -密封封装

    -无空隙陶瓷熔块玻璃结构

    -替代DO-4较大封装的二极管产品

    -低热阻




    SGF48N10和SGF48N20系列 40-48A,100-200V,6-16mΩ 

    GaN功率场效应管

    -第4代氮化镓技术

    -非常快速的开关切换适用于高频应用

    -极低的RDS(ON)

    -低Qg简化的门驱动电路

    -低热阻

    -密封封装



    密封、高压氮化镓功率场效应晶体管

    SGF43E70-28:43A,700V,45mΩ

    SGF46E70M/S1:46A,700V,30mΩ 

    SGF15E100J:15A,1000V,160mΩ

    -结合了氮化镓HEMT和低压硅   MOSFET(Cascode)的卓越性能

    -非常快速的开关切换适用于高频应用

    -可在通用的门驱动下工作

    -低Rds(on)

    -低 Qg简化的门驱动电路

    -低热阻

    -可用于常开模式(无Si MOSFET驱动器)




    SPD5550-SPD5554系列5 A,200-1000 V标准恢复二极管

    -低反向漏电流:5uA max(@25°C)

    -可替换1N5550-1N5554系列

    -密封封装

    -扁平引线封装特点:

        实心银导线

        提供应力消除(可自定义)

        非常适合焊接到汇流条

    -典型应用:

        在光伏太阳能电池板上用做阵列旁路二极管,阻塞二极管







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