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    SSDI提供业界最小的高压GaN功率场效应管




    氮化镓技术相对于传统硅晶体管的优势:

    -的带宽

    -极低的反向恢复电荷(QRR)

    -低栅电荷(QG)

    -低漏源通态电阻(RDS(ON)))

    -低温度系数

     



    对于电路设计人员的

    -更高的效率

    -快速切换速度

    -低交叉损

    -低的导通


        SSDI其密封高压氮化镓功率场效应管产品—SGF43E70-28。这款43A ,700 V器件,可在LCC28封装中使用,它具有最小管脚占用(0.458”x 0.458”max)最小轮廓 (0.095”max) 密封高压氮化镓场效应管。LCC28封装有一个内部铜钨合金散热器,可以焊接到外部散热器上,以便更好地进行热管理


        SGF43E70-28特性为低RDS(ON) TYP :39 mΩ (@ 30 A)低QG TYP :24 nC (@ 32 A)。与传统的硅MOSFET相比,这些器件具有低 (RDS(ON) x QG)的优点、低的导通损耗和低的交叉损耗,可以在更小的封装中实现更快的开关切换和更高的效率。SSDI700 - 1000高压GaN产品是集GaN HEMT和低压硅MOSFET驱动器于一体的共源共栅级器件,具有优越的性能。SSDI的高压氮化镓功率场效应管可用于包括高效DC-DC / PoL转换器和电机控制器在内的广泛应用。


        虽然低电压、非密封GaN器件广泛用于商业应用,但SSDI专门为高功率/高压航空航天和国防应用提供高密度密封解决方案依托于50年以上的高可靠性产品研发经验, SSDI研发制造团队也可根据客户特定的要求提供定制化的密封、高效的氮化镓(GaN)产品解决方案。





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